尹錫悅下臺,3萬億投資何去何從?

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12月14日,尹錫悅彈劾案在韓國國會通過,這場本月初發(fā)生的“戒嚴鬧劇”愈演愈烈。

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與尹錫悅政治生涯一同沉沒的,或許還有他野心勃勃的“世界規(guī)模最大半導體產(chǎn)業(yè)集群計劃”。

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從樸正熙時代開始,韓國歷任總統(tǒng)把扶持半導體視為“基本國策”,而到了尹錫悅?cè)纹冢@位“前總統(tǒng)”對于半導體更是有著超乎尋常的熱情。

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上任之初,尹錫悅就在青瓦臺組織了一場以“半導體理解與戰(zhàn)略價值”為題的特別講座,要求韓國政府部門的首長們集體學習。還特別強調(diào)了,“即便是法務部等與半導體沒有直接關聯(lián)的部門首長也要認真學習半導體知識。”

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今年1月,尹錫悅又在參加成均館大學活動時透露, 韓國政府正在打造貫通京畿道南部地區(qū)的全球最大規(guī)模半導體超級集群,預計總投資規(guī)模達622萬億韓元(約合人民幣3.4萬億元)。

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這條消息在經(jīng)韓國KBS報道后,遭到多方質(zhì)疑,因為尹提到的“622萬億韓元”實際上是包括三星、SK海力士在內(nèi)的多家半導體廠商,在未來23年的總投資額,雖然半導體產(chǎn)業(yè)集群由政府牽頭建設,但如此表述難免有獨攬功勞之嫌。

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尹錫悅也很快對質(zhì)疑聲給出了回應。

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5月23日,尹錫悅宣布,政府將斥資26萬億韓元(約合1380億元人民幣),用于扶持韓國芯片產(chǎn)業(yè)。

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他在當天的政府部門和金融監(jiān)管機構、會議上表示:“眾所周知,半導體是需要傾全國之力征戰(zhàn)的領域,勝負取決于誰能最先制造出擁有高信息處理能力的最先進半導體。”

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“傾全國之力征戰(zhàn)”,這種類似“賭國運”式的表述在韓國歷屆政府中不止一次出現(xiàn)過。

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翻開韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史,這個國家曾數(shù)次踏準產(chǎn)業(yè)變革的機遇,而在這一輪生成式AI的爆發(fā)中,韓國是否還有類似的歷史機遇?在尹錫悅政府下臺后,繼任者還能否推進“半導體產(chǎn)業(yè)超級集群”計劃?

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韓國半導體,時也命也

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1967年9月的一天,時任韓國總統(tǒng)的樸正熙宴請哥倫比亞大學電子工程系教授金完熙在青瓦臺共進午餐。

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飯后,樸正熙將金完熙叫進書房,并將一枚晶體管交到他的手中說道:“我們也想發(fā)展電子工業(yè),請金博士幫忙。”

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軍人出身的樸正熙并不了解晶體管的用途,但在與摩托羅拉代表的接觸中,對方告訴過他,一手提包的晶體管,價格遠超過一倉庫的紡織品。

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在樸正熙的勸說下,金完熙成為他的個人顧問,并將電子工業(yè)確立為韓國的支柱產(chǎn)業(yè),盡管彼時的韓國根本沒有半導體公司。

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1975年,韓國歷史上第一批本土自產(chǎn)的晶體管,在位于龜尾電子園區(qū)的工廠中下線。韓國政府也趁熱打鐵,發(fā)布了扶持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“六年計劃”,立志要在6年內(nèi)實現(xiàn)半導體生產(chǎn)的本土化。

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四年后,樸正熙遇刺。他沒能看到六年計劃的成果,但繼任者崔圭夏,還有依靠政變上臺的全斗煥,都將樸的政策延續(xù)了下來。

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只不過,當時的晶體管在日新月異的電子信息產(chǎn)業(yè)中,已經(jīng)垂垂老矣,更進階的集成電路已經(jīng)在全世界范圍內(nèi)普及開來,韓國政府雖然看到了風向的變化,但受限于國內(nèi)較低的發(fā)展水平,只有三星等少數(shù)公司能夠涉足。

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直到美日之間的“芯片戰(zhàn)爭”爆發(fā)。

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1985年,面對財政赤字劇增、對外貿(mào)易逆差大幅增長,美國協(xié)同德法英日四國簽訂了《廣場協(xié)議》,這份協(xié)議雖然讓日元短期內(nèi)快速升值,但其中有一條非常關鍵的內(nèi)容,即引入價格監(jiān)督制度,規(guī)定日本半導體企業(yè)不得低于合理價格銷售半導體產(chǎn)品。

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這導致了在外向型經(jīng)濟主導的日本,企業(yè)在半導體產(chǎn)品出口時,價格永遠要比其他國家的同類產(chǎn)品高出一截。可以說,在《廣場協(xié)議》簽訂后,日本半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被事實性地終結(jié)。

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全斗煥政府敏銳地捕捉到了這個機遇,并于次年出面組織了“國家開發(fā)研究小組”,由韓國電子通信研究所牽頭,聯(lián)合三星、現(xiàn)代、LG和韓國六所大學,將4MB DRAM作為國家級重點項目進行研發(fā)。

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這個DRAM,又稱動態(tài)隨機存儲器,就是我們常說的“內(nèi)存”。

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在盧泰愚任期,政府繼續(xù)推行上述政策,并于1990年前共投入1.1億美元,其中57%的投資由韓國政府承擔。

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到了90年代末期,日本的DRAM在全球市場的份額已經(jīng)萎縮至10%;與之對應的是,韓國的DRAM在全球的市場份額超過40%。本世紀初,在經(jīng)歷三星和SK海力士的“逆周期投資”戰(zhàn)法下,日本及歐洲的DRAM產(chǎn)能被徹底出清,韓國在DRAM的市場份額一度超過80%。

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過去十余年,韓國半導體企業(yè)開始了對非存儲芯片領域的深入研究與拓展,而行業(yè)格局的變化,以及生成式AI的出現(xiàn),再次給韓國送來“潑天富貴”。

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尹錫悅的黃粱一夢

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2023年12月中旬,當歐洲沉浸在即將到來的圣誕節(jié)氛圍時,尹錫悅率領訪問團行色匆匆地奔赴荷蘭。

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在尹錫悅乘坐的專機上,還有兩位能夠左右全球存儲行業(yè)的人物:三星電子會長李在镕和SK集團會長崔泰源。

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尹錫悅一行人在阿姆斯特丹短暫停留后,便立刻動身前往位于荷蘭南部的小城埃因霍溫,這座人口不足25萬的城市,有兩張引以為傲的名片,一個是拿過歐冠的荷甲同名球隊,另一個則是全球半導體行業(yè)的心臟——ASML。

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當半導體行業(yè)進入14nm以下的先進制程工藝后,EUV光刻機也隨之站在舞臺中央,而在ASML之外,沒有任何企業(yè)能夠生產(chǎn)此類設備。尹錫悅訪問荷蘭的目的也很明確,即搶購EUV光刻機設備,以保證韓國半導體產(chǎn)業(yè)在先進制程上的主動權。

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實際上,韓國在先進制程上的進展可謂命途多舛。

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2020年年末,高通在推出驍龍888芯片后,眾多手機廠商的年度旗艦機型接連在功耗上翻車,就在業(yè)內(nèi)圍繞“設計方背鍋”還是“代工方背鍋”而爭論得跌跌不休時,三星自家的Exynos 1080芯片以令人大跌眼鏡的表現(xiàn)坐實了三星代工的工藝問題。

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到了2022年初,三星開始著手3nm制程工藝的量產(chǎn)工作。盡管當時的李在镕被各種官司纏身,但他依然抽出時間要求三星電子對旗下晶圓代工廠進行一輪內(nèi)部審核,調(diào)查用于提升良率的資金是否有所落實。

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因為彼時試生產(chǎn)的3nm芯片良率已經(jīng)低到“讓高層難以置信”,審核的結(jié)果是三星DS(半導體事業(yè)暨裝置解決方案)部門半數(shù)高層被清洗。

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不過,盡管三星在先進制程的探索上一路磕磕絆絆,但一個現(xiàn)實問題是,已經(jīng)沒有幾家廠商能夠負擔起先進制程的天價投資了。

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比如在90nm制程的時代,全球能夠提供晶圓代工能力的廠商超過20家,其中不乏阿爾蒂斯、力晶、瑞薩這樣不被大眾所熟知的公司;到了28nm制程時代,全球能夠提供相關代工業(yè)務的不超過10家;而在進入7nm制程時代后,僅有臺積電、三星、英特爾三家公司還留在牌桌上。

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考慮到英特爾代工業(yè)務前途未卜,未來實際上能和三星電子形成競爭關系的只有臺積電。

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因此,即便是三星在先進制程上問題再大,只要這一波生成式AI的硬件需求不減、消費電子市場沒有斷崖式的下跌,那么未來在芯片代工領域,三星始終都是一支重要力量。

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應該說,尹錫悅的荷蘭之行在效果上可謂立竿見影。

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就在尹錫悅出訪荷蘭期間,據(jù)Sammobile報道,三星首次獲得了High-NA EUV光刻機的優(yōu)先購買權。按照協(xié)議,ASML將不晚于2027年為三星提供該型光刻機,屆時,這家公司將有望實現(xiàn)1.4nm制程工藝的突破。

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而與尹錫悅一同出訪的SK海力士雖然沒有先進制程,但也是吃盡了這波生成式AI興起的紅利。

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眾所周知,大模型訓練需要用到大量高性能計算卡,在每一枚高性能計算卡中都少不了HBM(高帶寬內(nèi)存芯片)的存在,有外媒曾對H100芯片的物料成本進行過測算:在這塊BOM(綜合硬件成本)為3000美元的芯片中,HBM的價格要占去一半。

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另據(jù)TrendForce的統(tǒng)計數(shù)據(jù),在2023年全球HBM市場中,SK海力士和三星的市場份額分別高達53%和38%。

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值得一提的是,即便是暫時對下一代光刻機沒有需求的SK海力士,依然與ASML簽署了協(xié)議,共同開發(fā)EUV光刻機中的氫氣回收技術,以降低光刻機能耗。

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如果沒有那場政治風波,憑借三星、SK海力士趕上的時代紅利,還有自身“事必躬親”的態(tài)度,尹錫悅本可在韓國半導體的發(fā)展史上留下濃墨重彩的一筆。

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但現(xiàn)在,行業(yè)內(nèi)唯一會關心的問題,就是他的“半導體產(chǎn)業(yè)超級集群”計劃能否延續(xù)下去。

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超級集群,前途未卜

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在討論半導體產(chǎn)業(yè)超級集群計劃的命運前,不妨先思考一個問題,尹錫悅政府為什么會設計這樣的藍圖?

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一個顯而易見的好處是,它能夠更好地幫助半導體產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)同發(fā)展。這點曾在韓國受到慘痛教訓后,迅速在政企兩界達成一致。

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需要補充一個背景,韓國半導體產(chǎn)業(yè)雖然發(fā)達,但產(chǎn)業(yè)結(jié)構十分不均衡,比如上游的設備、材料,下游的封裝、檢測,發(fā)展水平普遍較低。

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2019年7月,日本曾將半導體產(chǎn)業(yè)鏈的三種重要材料——氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度氫氟酸,對韓國實行出口限制,這讓韓國一度面臨材料斷供的窘境。據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部的統(tǒng)計數(shù)據(jù),在該年8月份,韓國半導體出口同比銳減30.7%。

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雖然后續(xù)在美國的調(diào)和下,日本方面有所松口,但期間韓國半導體行業(yè)協(xié)會做的一項調(diào)查,讓彼時執(zhí)政的文在寅政府驚出一身冷汗:在2019年,韓國半導體行業(yè)的設備自給率為18%,這個數(shù)字相較于2004年,沒發(fā)生任何變化。

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隨后文在寅政府推出本國半導體設備及關鍵材料的刺激政策,對于那些從事國產(chǎn)化設備研究的公司,甚至可以用成本去抵消應納稅額。

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在今年5月,尹錫悅對韓國半導體自給率制定了目標:到2030年將芯片生產(chǎn)的關鍵材料、零部件和設備的自給率提高到 50%。

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盡管產(chǎn)業(yè)集群有利于上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,但按照尹錫悅政府的規(guī)劃,這個產(chǎn)業(yè)集群內(nèi),僅晶圓廠的數(shù)量就高達37座,總面積將達到2000萬平方米,能夠直接或間接創(chuàng)造300萬工作崗位,如此體量的產(chǎn)業(yè)集群是否適用于半導體行業(yè),還有待討論。

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不同于中國、美國這樣的幅員遼闊、戰(zhàn)略縱深大的國家,韓國國土狹小,且半導體產(chǎn)業(yè)本就集中分布在首爾都市圈內(nèi),如果全部集中在一個產(chǎn)業(yè)集群中,當面對戰(zhàn)爭或嚴重自然災害時,風險性指數(shù)增加。

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另外,如此密集的產(chǎn)業(yè)集群對于區(qū)域內(nèi)的資源調(diào)配能力也是個很大的考驗。

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一位業(yè)內(nèi)人士向筆者表示,一座普通的6英寸晶圓廠中,每月的電力消耗能夠達到10萬千瓦時,而大型晶圓廠每月的電力消耗輕松超過100萬千瓦時。

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根據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部的測算,如果京畿道的“半導體產(chǎn)業(yè)超級集群”建成,需要裝機容量為10GW的發(fā)電廠為其供應電力。做個對比,三峽水電站的總裝機容量為22.5GW,可以想象這對于區(qū)域內(nèi)電力供應會造成多么大的壓力。

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還有很重要的一點是,半導體行業(yè)也存在著因地制宜的特征。


比如臺積電在美國亞利桑那州建廠,一方面是芯片法案的補貼,另一方面則是因為臺積電在美國有大量的本地客戶。又比如英特爾在馬來西亞建立封裝廠,也是看中了當?shù)剌^為低廉且受過一定教育的勞動力,本質(zhì)上芯片封裝還是一個勞動密集型產(chǎn)業(yè)。

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換言之,如果只是劃出一片區(qū)域建立覆蓋上下游的產(chǎn)業(yè)集群,可能并不完全符合當前半導體行業(yè)的發(fā)展需求。

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回顧韓國歷屆政府,值得稱贊的一點是,無論他們之間政見有何差異,在涉及半導體產(chǎn)業(yè)政策及戰(zhàn)略的制定上,基本都保持了連續(xù)性,但這項事關3.4萬億投資額,持續(xù)時間長達20年的項目,未來能否被執(zhí)行下去,恐怕還是要打個問號。

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