高通與金立簽訂3G/4G專利協(xié)議 專利費(fèi)收入未來(lái)面臨隱患

騰訊科技 顏東惑 12月27日?qǐng)?bào)道

今日，美國(guó) 高通 公司宣布與深圳市金立通信設(shè)備有限公司（金立）達(dá)成了新的3G和4G中國(guó)專利許可協(xié)議。

按照協(xié)議條款，Qualcomm授予金立開(kāi)發(fā)、制造和銷售在中國(guó)使用的3G WCDMA及CDMA2000和4G LTE（包括 “三模” GSM、TD-SCDMA和LTE-TDD）完整設(shè)備的付費(fèi)專利許可。金立應(yīng)支付的專利費(fèi)用與Qualcomm向中華人民共和國(guó)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)所提交的整改措施條款相一致。

金立集團(tuán)董事長(zhǎng)劉立榮表示：“通過(guò)該許可協(xié)議，我們將能夠獲得Qualcomm的最新技術(shù)，這將使我們得以繼續(xù)為所有消費(fèi)者設(shè)計(jì)創(chuàng)新且強(qiáng)大的終端。”

Qualcomm執(zhí)行副總裁兼技術(shù)許可業(yè)務(wù)（QTL）總裁亞歷克斯·羅杰士表示：“Qualcomm的標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)正支持無(wú)線生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的眾多公司打造全新產(chǎn)品和服務(wù)。”

在金立昨日發(fā)布的M2017產(chǎn)品中，就搭載了高通驍龍653處理器，并且是首部使用Qualcomm Technologies推出的電源管理芯片（PMIC）SMB1381芯片的手機(jī)，采用雙充電芯片設(shè)計(jì)（7000mAh的電池是由兩塊3500mAh的電池并聯(lián)而成），具有低阻抗，并支持反向充電，電能轉(zhuǎn)化率高達(dá)95%。支持的Quick Charge 3.0技術(shù)是傳統(tǒng)充電速度的4倍。

需要注意的是，受到中國(guó)手機(jī)公司自年初中國(guó)反壟斷案后開(kāi)始“拖延”專利授權(quán)的簽署。高通最新第四季度財(cái)報(bào)并不好看，受此影響，高通股價(jià)暴跌14%，創(chuàng)52周以來(lái)歷史新低。可以預(yù)見(jiàn)，高通在專利授權(quán)費(fèi)用方面未來(lái)將面臨巨大隱患。

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